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CSD16322Q5 /MOSFET N-Channel NexFET Pwr MOSFETs
CSD16322Q5的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Texas Instruments

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:VSON-Clip-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:25 V

Id-连续漏极电流:100 A

Rds On-漏源导通电阻:5.8 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.1 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:6.8 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:3.1 W

配置:Single

商标名:NexFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1 mm

长度:6 mm

系列:CSD16322Q5

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:5 mm

商标:Texas Instruments

正向跨导 - 最小值:106 S

下降时间:3.7 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:10.7 ns

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:12.3 ns

典型接通延迟时间:6.1 ns

单位重量:110.300 mg

供应商CSD16322Q5
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深圳市威雅利发展有限公司CSD16322Q5华强北路1019号华强广场A16楼18124047120
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深圳市佳威星科技有限公司CSD16322Q5深圳市福田区华强北路现代之窗B座28C0755-83045910
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13352985419
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深圳市坤融电子有限公司CSD16322Q5航都大厦10I0755-23990975
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肖瑶,树平Email:hzk@krchips.com询价
集好芯城CSD16322Q5深圳市福田区航都大厦25F0755-82564006
13310061703
傅小姐Email:sam@678ic.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司CSD16322Q5深圳市福田区航都大厦25F0755-82790891
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集好芯城CSD16322Q5深圳市福田区航都大厦25F4008626627
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深圳市赛美科科技有限公司CSD16322Q5广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A5950755-28309323
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深圳市雄创芯业电子科技有限公司CSD16322Q5深圳市龙岗区吉星花园7栋30613631670223徐小姐Email:13631670223@139.com询价
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CSD16322Q5N-Channel NexFET Power MOSFET TI[Texas Instruments]TI[Texas Instruments]的LOGO287.47 Kbytes共10页CSD16322Q5的PDF下载地址
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CSD16322Q5的全球分销商及价格
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Am2
CSD16322Q5Texas InstrumentsFET - 单 NexFET?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Channel NexFET Pwr MOSFETs1+:¥9.64
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CSD16322Q5Texas InstrumentsFET - 单 NexFET?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Channel NexFET Pwr MOSFETs1+:¥9.64
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Digi-Key 得捷电子
CSD16322Q5Texas InstrumentsMOSFET N-CH 25V 21A/97A 8VSON$1.27000
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Digi-Key 得捷电子
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Digi-Key 得捷电子
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element14 e络盟电子
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Mouser 贸泽电子
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Mouser 贸泽电子
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Mouser 贸泽电子
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Rochester
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Verical
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