CGHV35060MP的供应商，CGHV35060MP规格参数，CGHV35060MP的PDF资料

CGHV35060MP /射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 2.7-3.1GHz, 60 Watt

CGHV35060MP的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Cree, Inc.

产品种类:射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管

RoHS:是

晶体管类型:HEMT

技术:GaN

增益:14.5 dB

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:150 V

Vgs-栅源极击穿电压 :- 10 V, 2 V

Id-连续漏极电流:10.4 A

输出功率:75 W

最大漏极/栅极电压:50 V

最小工作温度:- 40 C

最大工作温度:+ 107 C

Pd-功率耗散:52 W

安装风格:SMD/SMT

封装:Reel

应用:S Band Radar and LTE base stations

配置:Single

工作频率:3.5 GHz

工作温度范围:- 40 C to + 107 C

商标:Wolfspeed / Cree

产品类型:RF JFET Transistors

工厂包装数量:250

子类别:Transistors

Vgs th-栅源极阈值电压:- 3 V

CGHV35060MP的供应商,可免费索样

CGHV35060MP及相关型号的PDF资料

型号	功能描述	生产厂商	PDF大小	PDF页数	相关型号
CGHV35060MP	60W, 2700-3500 MHz, 50V, GaN HEMT for S Band Radar and LTE base stations	CREE[Cree, Inc]	573.73 Kbytes	共6页	无
CGHV35060MP	60W, 2700-3500 MHz, 50V, GaN HEMT for S Band Radar and LTE base stations	CREE[Cree, Inc]	1514.56 Kbytes	共8页	无
CGHV35060MP_16	60W, 2700-3500 MHz, 50V, GaN HEMT for S Band Radar and LTE base stations	CREE[Cree, Inc]	1514.56 Kbytes	共8页	无
CGHV35060MP-AMP1	60W, 2700-3500 MHz, 50V, GaN HEMT for S Band Radar and LTE base stations	CREE[Cree, Inc]	1514.56 Kbytes	共8页	无

CGHV35060MP的全球分销商及价格

销售商	型号	制造商	功能描述	价格
Digi-Key 得捷电子	CGHV35060MP	Cree/Wolfspeed	RF MOSFET HEMT 50V 20TSSOP	$124.34000
Digi-Key 得捷电子	CGHV35060MP-AMP1	Cree/Wolfspeed	2.7-3.8GHZ, AMP W/ CGHV35060MP	$718.75000
Mouser 贸泽电子	CGHV35060MP	Wolfspeed / Cree	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 2.7-3.1GHz, 60 Watt	250:¥1,071.9971

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