制造商:Cree, Inc.

产品种类:射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管

发货限制：Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。

RoHS:是

晶体管类型:HEMT

技术:GaN SiC

增益:11 dB

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:100 V

Vgs-栅源极击穿电压 :- 10 V to 2 V

Id-连续漏极电流:2 A

输出功率:25 W

最大漏极/栅极电压:-

最小工作温度:- 40 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:-

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:DFN-12

封装:Cut Tape

封装:Reel

应用:-

配置:Single

高度:0.9 mm

长度:4 mm

工作频率:15 GHz

工作温度范围:- 40 C to + 150 C

产品:GaN HEMT

类型:GaN SiC HEMT

宽度:3 mm

商标:Wolfspeed / Cree

正向跨导 - 最小值:-

闸/源截止电压:-

类:-

开发套件:CGHV1F025S-TB

下降时间:-

湿度敏感性:Yes

NF—噪声系数:-

P1dB - 压缩点:-

产品类型:RF JFET Transistors

Rds On-漏源导通电阻:-

上升时间:-

工厂包装数量:250

子类别:Transistors

典型关闭延迟时间:-

Vgs th-栅源极阈值电压:- 3 V