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CGHV1F006S /射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-18GHz, 6 Watt
CGHV1F006S的规格信息
CGHV1F006S的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Cree, Inc.

产品种类:射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管

RoHS:

晶体管类型:HEMT

技术:GaN

增益:16 dB

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:100 V

Vgs-栅源极击穿电压 :- 10 V to 2 V

Id-连续漏极电流:950 mA

输出功率:6 W

最大漏极/栅极电压:-

最小工作温度:- 40 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:-

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:DFN-12

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

应用:-

配置:Single

工作频率:18 GHz

工作温度范围:- 40 C to + 150 C

商标:Wolfspeed / Cree

正向跨导 - 最小值:-

闸/源截止电压:-

类:-

湿度敏感性:Yes

NF—噪声系数:-

P1dB - 压缩点:-

产品类型:RF JFET Transistors

Rds On-漏源导通电阻:-

工厂包装数量:250

子类别:Transistors

Vgs th-栅源极阈值电压:- 3 V

供应商CGHV1F006S
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CGHV1F006S的全球分销商及价格
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Digi-Key 得捷电子
CGHV1F006SCree/WolfspeedRF MOSFET HEMT 40V 12DFN$45.83000
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Digi-Key 得捷电子
CGHV1F006S-AMP1Cree/WolfspeedDEMO HEMT TRANS AMP1 CGHV1F006S$589.88000
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Mouser 贸泽电子
CGHV1F006SWolfspeed / Cree射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-18GHz, 6 Watt1:¥343.859
250:¥343.859
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CGHV1F006S-AMP1Wolfspeed / Cree射频开发工具 Test Board with GaN HEMT价格未公开
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CGHV1F006S-AMP3Wolfspeed / Cree射频开发工具 Test Board with GaN HEMT价格未公开