CGHV22200F的供应商，CGHV22200F规格参数，CGHV22200F的PDF资料

CGHV22200F /射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 GaN HEMT 1.8-2.2GHz, 200 Watt

CGHV22200F的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Cree, Inc.

产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

RoHS:是

晶体管极性:N-Channel

技术:GaN

Id-连续漏极电流:1 A

Vds-漏源极击穿电压:150 V

增益:18 dB

输出功率:200 W

最小工作温度:- 40 C

最大工作温度:+ 150 C

安装风格:Screw Mount

封装 / 箱体:440162

封装:Bulk

工作频率:1.8 GHz to 2.2 GHz

类型:RF Power MOSFET

商标:Wolfspeed / Cree

通道数量:1 Channel

产品类型:RF MOSFET Transistors

工厂包装数量:10

子类别:MOSFETs

Vgs - 栅极-源极电压:- 10 V, 2 V

Vgs th-栅源极阈值电压:- 3 V

CGHV22200F的供应商,可免费索样

CGHV22200F及相关型号的PDF资料

型号	功能描述	生产厂商	厂商LOGO	PDF大小	PDF页数	下载地址	相关型号
CGHV22200F	200 W, 1800-2200 MHz, GaN HEMT for LTE	CREE[Cree, Inc]		1096.61 Kbytes	共13页		无
CGHV22200F-AMP	200 W, 1800-2200 MHz, GaN HEMT for LTE	CREE[Cree, Inc]		1096.61 Kbytes	共13页		无

CGHV22200F的全球分销商及价格

销售商	型号	制造商	功能描述	价格
Arrow(艾睿)	CGHV22200F	Cree	RF FET - 分立半导体产品	1+:￥1539.
Digi-Key 得捷电子	CGHV22200F	Cree	RF FET - 分立半导体产品	1+:￥1539.2199
Digi-Key 得捷电子	CGHV22200F	Cree/Wolfspeed	RF MOSFET HEMT 50V 440162	Obsolete
Mouser 贸泽电子	CGHV22200F	Wolfspeed / Cree	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 GaN HEMT 1.8-2.2GHz, 200 Watt	价格未公开

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