制造商:Cree, Inc.

产品种类:射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管

RoHS:是

晶体管类型:HEMT

技术:GaN

增益:18.5 dB

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:150 V

Vgs-栅源极击穿电压 :- 10 V to 2 V

Id-连续漏极电流:6.3 A

输出功率:60 W

最大漏极/栅极电压:-

最小工作温度:- 40 C

最大工作温度:+ 90 C

Pd-功率耗散:-

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:QSOP-20

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

应用:-

配置:Single

工作频率:2.7 GHz

工作温度范围:- 40 C to + 90 C

商标:Wolfspeed / Cree

正向跨导 - 最小值:-

闸/源截止电压:-

类:-

湿度敏感性:Yes

NF—噪声系数:-

P1dB - 压缩点:-

产品类型:RF JFET Transistors

Rds On-漏源导通电阻:-

工厂包装数量:250

子类别:Transistors

Vgs th-栅源极阈值电压:- 3 V

单位重量:241.200 mg