制造商:Cree, Inc.

产品种类:射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管

发货限制：Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。

RoHS:是

晶体管类型:HEMT

技术:GaN SiC

增益:17 dB

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:100 V

Vgs-栅源极击穿电压 :- 10 V to 2 V

Id-连续漏极电流:6 A

输出功率:70 W

最大工作温度:+ 225 C

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:Die

封装:Gel Pack

配置:Single

工作频率:10 MHz to 18 GHz

商标:Wolfspeed / Cree

通道数量:1 Channel

产品类型:RF JFET Transistors

Rds On-漏源导通电阻:200 mOhms

工厂包装数量:10

子类别:Transistors

Vgs th-栅源极阈值电压:- 3 V