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BSS316NH6327XT /MOSFET N-Ch 30V 1.4A SOT-23-3
BSS316NH6327XT的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-23-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:1.4 A

Rds On-漏源导通电阻:160 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.2 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:600 pC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:500 mW (1/2 W)

配置:Single

通道模式:Enhancement

资格:AEC-Q101

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.1 mm

长度:2.9 mm

系列:BSS316

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:1.3 mm

商标:Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:2.3 S

开发套件:EVAL_3KW_2LLC_C7_20

下降时间:1 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:2.3 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:5.8 ns

典型接通延迟时间:3.4 ns

零件号别名:BSS316N BSS316NH6327XTSA1 H6327 SP000928948

单位重量:8 mg

供应商BSS316NH6327XT
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BSS316NH6327XTMOSFET N-Ch 30V 1.4A SOT-23-3Infineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO231.67 Kbytes共9页BSS316NH6327XT的PDF下载地址
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BSS316NH6327XTSA1连续漏极电流(Id)(25°C 时):1.4A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:1.2V @ 3.7uA 漏源导通电阻:160mΩ @ 1.4A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):500mW 类型:N沟道Infineon(英飞凌)Infineon(英飞凌)的LOGO231.30 Kbytes共9页BSS316NH6327XTSA1的PDF下载地址
BSS316NH6327XT的全球分销商及价格
销售商型号制造商功能描述价格
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Digi-Key 得捷电子
BSS316NH6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3$0.44000
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子
BSS316NH6327XTInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 1.4A SOT-23-31:¥2.9945
10:¥2.0453
100:¥0.85315
1,000:¥0.58421
3,000:¥0.45313
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Mouser 贸泽电子
BSS316NH6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 1.4A SOT-23-31:¥2.9945
10:¥2.0453
100:¥0.85315
1,000:¥0.58421
3,000:¥0.45313
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立创商城
BSS316NH6327XTSA1Infineon(英飞凌)连续漏极电流(Id)(25°C 时):1.4A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:1.2V @ 3.7uA 漏源导通电阻:160mΩ @ 1.4A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):500mW 类型:N沟道5+:¥0.439861
50+:¥0.329074
150+:¥0.308725
500+:¥0.288376
2500+:¥0.279332
5000+:¥0.274864