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BSS314PEH6327 /连续漏极电流(Id)(25°C 时):1.5A 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:2V @ 6.3uA 漏源导通电阻:140mΩ @ 1.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):500mW 类型:P沟道
BSS314PEH6327的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)-30V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)1.5A

栅源极阈值电压2V @ 6.3uA

漏源导通电阻140mΩ @ 1.5A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)500mW

类型P沟道

供应商BSS314PEH6327
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深圳市威雅利发展有限公司BSS314PEH6327华强北路1019号华强广场A16楼18124047120
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BSS314PEH6327XTMOSFET P-Ch -30V -1.5A SOT-23-3Infineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO489.29 Kbytes共9页BSS314PEH6327XT的PDF下载地址
BSS314PEH6327XTSA1MOSFET P-Ch -30V -1.5A SOT-23-3Infineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO489.29 Kbytes共9页BSS314PEH6327XTSA1的PDF下载地址
BSS314PEH6327XTSA1MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23Infineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO533.70 Kbytes共9页BSS314PEH6327XTSA1的PDF下载地址
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BSS314PEH6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23-3$0.44000
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Mouser 贸泽电子
BSS314PEH6327XTInfineon TechnologiesMOSFET P-Ch -30V -1.5A SOT-23-31:¥3.616
10:¥2.3391
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
3,000:¥0.58421
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BSS314PEH6327Infineon(英飞凌)连续漏极电流(Id)(25°C 时):1.5A 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:2V @ 6.3uA 漏源导通电阻:140mΩ @ 1.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):500mW 类型:P沟道1+:¥0.9058
10+:¥0.7036
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BSS314PEH6327XTSA1Infineon(英飞凌)MOS(场效应管)1+:¥2.61
10+:¥2.54
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