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BSS308PEH6327XTSA1 /MOSFET P-Ch -30V -2A SOT-23-3
BSS308PEH6327XTSA1的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PG-SOT-23-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:2 A

Rds On-漏源导通电阻:62 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:- 5 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:500 mW (1/2 W)

配置:Single

通道模式:Enhancement

资格:AEC-Q101

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.1 mm

长度:2.9 mm

系列:BSS308

晶体管类型:1 P-Channel

宽度:1.3 mm

商标:Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:4.6 S

下降时间:2.8 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:7.7 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:15.3 ns

典型接通延迟时间:5.6 ns

零件号别名:BSS308PE BSS38PEH6327XT H6327 SP000928942

单位重量:8 mg

供应商BSS308PEH6327XTSA1
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现代芯城(深圳)科技有限公司BSS308PEH6327XTSA1www.nowchip.com0755-27381274
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