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BSS306NH6327 /连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.3A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2V @ 11uA 漏源导通电阻:57mΩ @ 2.3A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):500mW 类型:N沟道
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)30V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)2.3A

栅源极阈值电压2V @ 11uA

漏源导通电阻57mΩ @ 2.3A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)500mW

类型N沟道

供应商BSS306NH6327
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深圳市高捷芯城科技有限公司BSS306NH6327深圳市福田区航都大厦10B13352985419
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深圳市芯幂科技有限公司BSS306NH6327深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774
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深圳市仓实科技有限公司BSS306NH6327-HXY深圳市福田区福田街道17080955875李先生Email:service@cangshixc.com询价
芯莱德电子(香港)有限公司BSS306NH6327深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419,19076157484
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张小姐Email:szkesiqi@163.com询价
深圳市骏创达科技有限公司BSS306NH6327XTSA1深圳市龙岗区坂田街道星河WORLD 1期A座20楼20020755-23917105,0755-23964265
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深圳市安富世纪电子有限公司BSS306NH6327深圳市福田区中航路都会轩24060755-82573210
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深圳市成源运利电子科技有限公司BSS306NH6327深圳市福田区华强路东方时代广场A2705159-13992480
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深圳市毅创腾电子科技有限公司BSS306NH6327深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
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集好芯城BSS306NH6327深圳市福田区航都大厦25F0755-82564006
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深圳市浩睿泽电子科技有限公司BSS306NH6327深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
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BSS306NH6327XTMOSFET N-Ch 30V 2.3A SOT-23-3Infineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO224.17 Kbytes共9页BSS306NH6327XT的PDF下载地址
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BSS306NH6327XTSA1MOSFET N-CH 30V 2.3A SOT23Infineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO223.38 Kbytes共9页BSS306NH6327XTSA1的PDF下载地址
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Digi-Key 得捷电子
BSS306NH6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 2.3A SOT23-3$0.50000
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10:¥2.4521
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1,000:¥0.86784
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BSS306NH6327XTSA1Infineon(英飞凌)连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.3A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2V @ 11uA 漏源导通电阻:57mΩ @ 2.3A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):500mW 类型:N沟道1+:¥0.8567
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