BSS308PE的供应商，BSS308PE规格参数，BSS308PE的PDF资料

BSS308PE /

BSS308PE的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

Packing Type：TAPE & REEL

Moisture Level：1

RDS (on) max：80.0mΩ

IDpuls max：-8.0A

VDS max：-30.0V

ID max：-2.0 A

Package：SOT-23

Rth：250.0K/W

QG：-5.0 nC

Budgetary Price €/1k：0.04

RDS (on) (@4.5V) max：130.0mΩ

Ptot max：0.5W

VGS(th) min max：-2.0 V -1.0 V

Coss：196.0pF

Ciss：376.0pF

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs

BSS308PE

BSS308PE的供应商,可免费索样

供应商	型号	地址	联系电话	联系人	询价
深圳市微碧半导体有限公司	BSS308PE-VB	深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋东5层502	0755-83204141 18118747668	许小姐	询价
深圳市芯幂科技有限公司	BSS308PE	深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦2405	13267088774 (微信同号)	Alien	询价
现代芯城（深圳）科技有限公司	BSS308PE	www.nowchip.com	0755-27381274 18098996457	董先生	询价
深圳市创科捷佳电子有限公司	BSS308PE H6327	深圳市福田区中航路鼎诚大厦10楼1009-1109	0755-82722720 13286466676	詹嘉捷	询价
深圳市成源运利电子科技有限公司	BSS308PE	深圳市福田区华强路东方时代广场A2705	159-13992480 15913992480	林先生	询价
深圳市佳威星科技有限公司	BSS308PEH6327XT	深圳市福田区华强北路现代之窗B座28C	0755-83045910 13724343501	胡小姐	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	BSS308PE	深圳市福田区中航路都会轩2406	0755-82573210 18124040553	杨丹妮	询价
深圳和润天下电子科技有限公司	BSS308PE H6327	深港合作区前湾一路1号A栋201室	13378422395，19129491930	蔡经理，张小姐	询价
深圳市坤融电子有限公司	BSS308PE E6327	航都大厦10I	0755-23990975 17318082080，13510287235	肖瑶，树平	询价
深圳市芯泽盛世科技有限公司	BSS308PE H6327	龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822	0755-89697985 18822854608	李先生	询价
集好芯城	BSS308PE	深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼	0755-23903180 13360063783	杨先生	询价
深圳市辉华拓展电子有限公司	BSS308PE H6327	深圳市福田区汉国中心55楼	0755-82790891 18126117392	陈玲玲	询价
深圳市德州众泰科技有限公司	BSS308PEH6327XTSA1	深圳市福田区汉国中心55楼	0755-82575351 13360063783	廖小姐	询价
深圳市百域芯科技有限公司	BSS308PE H6327	世纪汇都会轩4507	0755-82788062 18126442734	梁小姐	询价
集好芯城	BSS308PE	深圳市福田区航都大厦25F	4008626627 13360071553	陈泽辉	询价
芯莱德电子（香港）有限公司	BSS308PEH6327	深圳市福田区航都大厦10L	13352985419 13352985419，19076157484	杨先生	询价
深圳市高捷芯城科技有限公司	BSS308PEH6327	深圳市福田区航都大厦10B	13352985419 13352985419	木易	询价
深圳市赛美科科技有限公司	BSS308PE H6327	广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A595	0755-28309323 13480875861	雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话	询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司	BSS308PE H6327	深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室	0755-83616256 / 83210909 13725570869	朱小姐	询价
深圳市鑫晟源电子科技有限公司	BSS308PEH6327	深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1006号航都大厦19层C	实-单-专-线V+18938047708 18938047708/18938048779	林炜东，林俊源	询价

BSS308PE及相关型号的PDF资料

型号	功能描述	生产厂商	PDF大小	PDF页数	相关型号
BSS308PE	OptiMOSâ¢ P3 Small-Signal-Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	248.89 Kbytes	共9页	无
BSS308PE	OptiMOS P3 Small-Signal-Transistor Enhancement mode ESD protected	TYSEMI[TY Semiconductor Co., Ltd]	300.31 Kbytes	共3页	无
BSS308PE	OptiMOSâ¢ P3 Small-Signal-Transistor	ZPSEMI[ZP Semiconductor]	262.58 Kbytes	共3页	无
BSS308PE	OptiMOS P3 Small-Signal-Transistor	TYSEMI[TY Semiconductor Co., Ltd]	176.24 Kbytes	共3页	无
BSS308PE	P-Channel 30 V (D-S) MOSFET	VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]	1051.07 Kbytes	共9页	无
BSS308PE H6327	MOSFET P-Ch -30V -2A SOT-23-3	Infineon Technologies	240.96 Kbytes	共9页	无
BSS308PE H6327	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2A 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：2V @ 11uA 漏源导通电阻：80mΩ @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：500mW 类型：P沟道	Infineon(英飞凌)	240.50 Kbytes	共9页	无
BSS308PEH6327	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2V @ 11uA 漏源导通电阻：80mΩ @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：500mW 类型：P沟道	Infineon(英飞凌)	240.50 Kbytes	共9页	无
BSS308PEH6327XT	MOSFET P-Ch -30V -2A SOT-23-3	Infineon Technologies	240.96 Kbytes	共9页	无
BSS308PEH6327XTSA1	MOSFET P-Ch -30V -2A SOT-23-3	Infineon Technologies	240.96 Kbytes	共9页	无
BSS308PEH6327XTSA1	MOSFET P-CH 30V 2A SOT23	Infineon Technologies	240.50 Kbytes	共9页	无
BSS308PEH6327XTSA1	MOSFET P-CH 30V 2A SOT23-3	Infineon Technologies	240.50 Kbytes	共9页	无
BSS308PEH6327XTSA1		Infineon(英飞凌)	240.50 Kbytes	共9页	无
BSS308PE-HXY	P沟道, VDSS耐压 30V, ID电流 4.1A, RDON导通电阻 70mR@VGS 4.5V(MAX), VGS(th)开启电压 0.45-1.0V,	HXY MOSFET(华轩阳电子)	1.62 Mbytes	共6页	无
BSS308PEL6327HTSA1	MOSFET P-CH 30V 2A SOT23-3	Infineon Technologies	494.84 Kbytes	共9页	无

BSS308PE的全球分销商及价格

销售商	型号	制造商	功能描述	价格
Arrow(艾睿)	BSS308PE H6327	Infineon	FET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品	1+:￥0.91 10+:￥0.81 25+:￥
Arrow(艾睿)	BSS308PE L6327	Infineon	FET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品	价格未公开
Digi-Key 得捷电子	BSS308PEH6327XTSA1	Infineon Technologies	MOSFET P-CH 30V 2A SOT23-3	$0.46000
Digi-Key 得捷电子	BSS308PEL6327HTSA1	Infineon Technologies	MOSFET P-CH 30V 2A SOT23-3	Obsolete
element14 e络盟电子	BSS308PE H6327	Infineon	FET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品	1+:￥0.91 10+:￥0.81 25+:￥0.73
Mouser 贸泽电子	BSS308PE H6327	Infineon Technologies	MOSFET P-Ch -30V -2A SOT-23-3	1:¥2.9154 10:¥2.2374 100:¥1.2091 1,000:¥0.91417 3,000:¥0.78422 9,000:¥0.73789
Mouser 贸泽电子	BSS308PEH6327XT	Infineon Technologies	MOSFET P-Ch -30V -2A SOT-23-3	1:¥2.9154 10:¥2.2374 100:¥1.2091 1,000:¥0.91417 3,000:¥0.78422
Mouser 贸泽电子	BSS308PEH6327XTSA1	Infineon Technologies	MOSFET P-Ch -30V -2A SOT-23-3	1:¥2.9154 10:¥2.2374 100:¥1.2091 1,000:¥0.91417 3,000:¥0.78422 9,000:¥0.73789
立创商城	BSS308PE	VBsemi(台湾微碧)	MOS(场效应管)	5+:￥0.432659 50+:￥0.319704 150+:￥0.298957 500+:￥0.27821 2500+:￥0.268989 5000+:￥0.264433
立创商城	BSS308PE H6327	Infineon(英飞凌)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2A 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：2V @ 11uA 漏源导通电阻：80mΩ @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：500mW 类型：P沟道	1+:￥1.4514 200+:￥0.5617 500+:￥0.542 1000+:￥0.5322
立创商城	BSS308PEH6327	Infineon(英飞凌)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2V @ 11uA 漏源导通电阻：80mΩ @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：500mW 类型：P沟道	1+:￥0.9555 10+:￥0.7242 30+:￥0.6817 100+:￥0.6392 500+:￥0.6203 1000+:￥0.611
立创商城	BSS308PEH6327XTSA1	Infineon(英飞凌)	MOS(场效应管)	1+:￥4.75 10+:￥3.58 30+:￥3.37 100+:￥3.15 500+:￥3.06 1000+:￥3.01

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