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BSS225 /Infineon Technologies/分立半导体产品
BSS225的规格信息
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标准包装:1,000

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 单

系列:SIPMOS®

包装:带卷(TR)

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能:逻辑电平门

漏源极电压(Vdss):600V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):90mA(Ta)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):45 欧姆 @ 90mA,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 94µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):5.8nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):131pF @ 25V

功率 - 最大值:1W

安装类型:表面贴装

封装/外壳:TO-243AA

供应商器件封装:PG-SOT89-4

其它名称:BSS225TSP000017502

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芯莱德电子(香港)有限公司BSS225 H6327深圳市福田区航都大厦10L13352985419
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BSS225SIPMOS Small-Signal-Transistor INFINEON[Infineon Technologies AG]INFINEON[Infineon Technologies AG]的LOGO207.79 Kbytes共9页BSS225的PDF下载地址
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BSS225_11SIPMOS Small-Signal-Transistor INFINEON[Infineon Technologies AG]INFINEON[Infineon Technologies AG]的LOGO207.79 Kbytes共9页BSS225_11的PDF下载地址
BSS225H6327FTSA1MOSFET N-Ch 600V 90mA SOT-89-3Infineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO449.45 Kbytes共9页BSS225H6327FTSA1的PDF下载地址
BSS225H6327FTSA1MOSFET N-CH 600V 90MA SOT89Infineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO449.45 Kbytes共9页BSS225H6327FTSA1的PDF下载地址
BSS225H6327XTSA1MOSFET N-CH 600V 90MA SOT89Infineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO449.45 Kbytes共9页BSS225H6327XTSA1的PDF下载地址
BSS225L6327HTSA1MOSFET N-CH 600V 0.09A SOT-89Infineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO295.63 Kbytes共9页BSS225L6327HTSA1的PDF下载地址
BSS225的全球分销商及价格
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Digi-Key 得捷电子
BSS225Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 600V 90MA SOT89Obsolete
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Digi-Key 得捷电子
BSS225InfineonFET - 单 SIPMOS® 分立半导体产品价格未公开
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BSS225 L6327InfineonFET - 单 SIPMOS® 分立半导体产品价格未公开
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BSS225H6327FTSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 600V 90MA SOT89$0.66000
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BSS225H6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 600V 90MA SOT89$0.18768
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BSS225 H6327Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 600V 90mA SOT-89-31:¥4.3844
10:¥3.6499
100:¥2.2261
1,000:¥1.7176
2,000:¥1.469
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10:¥3.6499
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