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BSS214NH6327XT /MOSFET N-Ch 20V 1.5A SOT-23-3
BSS214NH6327XT的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PG-SOT-23-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:20 V

Id-连续漏极电流:1.5 A

Rds On-漏源导通电阻:140 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:700 mV

Vgs - 栅极-源极电压:4.5 V

Qg-栅极电荷:800 pC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:500 mW (1/2 W)

配置:Single

通道模式:Enhancement

资格:AEC-Q101

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.1 mm

长度:2.9 mm

系列:BSS214

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:1.3 mm

商标:Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:4 S

下降时间:1.4 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:7.8 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:6.8 ns

典型接通延迟时间:4.1 ns

零件号别名:BSS214N BSS214NH6327XTSA1 H6327 SP000928936

单位重量:8 mg

供应商BSS214NH6327XT
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深圳市坤融电子有限公司BSS214NH6327XTSA1航都大厦10I0755-23990975
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BSS214NH6327XTMOSFET N-Ch 20V 1.5A SOT-23-3Infineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO225.28 Kbytes共9页BSS214NH6327XT的PDF下载地址
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BSS214NH6327XTSA1MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT23Infineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO224.86 Kbytes共9页BSS214NH6327XTSA1的PDF下载地址
BSS214NH6327XTSA1连续漏极电流(Id)(25°C 时):1.5A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1.2V @ 3.7uA 漏源导通电阻:140mΩ @ 1.5A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):500mW 类型:N沟道Infineon(英飞凌)Infineon(英飞凌)的LOGO224.86 Kbytes共9页BSS214NH6327XTSA1的PDF下载地址
BSS214NH6327XT的全球分销商及价格
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Mouser 贸泽电子
BSS214NH6327XTInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 20V 1.5A SOT-23-31:¥3.6838
10:¥2.4295
100:¥1.04525
1,000:¥0.79891
3,000:¥0.60681
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10:¥2.4295
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BSS214NH6327XTSA1Infineon(英飞凌)连续漏极电流(Id)(25°C 时):1.5A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1.2V @ 3.7uA 漏源导通电阻:140mΩ @ 1.5A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):500mW 类型:N沟道5+:¥0.555092
50+:¥0.42044
150+:¥0.395708
500+:¥0.370976
2500+:¥0.359985
5000+:¥0.354553