Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C：77A

Drain to Source Voltage (Vdss)：500V

FET Feature：Standard

FET Type：MOSFET N-Channel, Metal Oxide

Gate Charge (Qg) @ Vgs：560nC @ 10V

Input Capacitance (Ciss) @ Vds：10600pF @ 25V

Mounting Type：Through Hole

Package / Case：TO-264

Power - Max：833W

Rds On (Max) @ Id, Vgs：60 mOhm @ 38.5A, 10V

Supplier Device Package：264 MAX™ [L2]

Vgs(th) (Max) @ Id：4V @ 5mA

包装：3TO-264 MAX

通道模式：Enhancement

最大漏源电压：500 V

最大连续漏极电流：77 A

RDS -于：60@10V mOhm

最大门源电压：±30 V

典型导通延迟时间：20 ns

典型上升时间：25 ns

典型关闭延迟时间：80 ns

典型下降时间：8 ns

工作温度：-55 to 150 °C

安装：Through Hole

标准包装：Rail / Tube