制造商:Microchip

产品种类:IGBT 模块

RoHS:是

产品:IGBT Silicon Modules

配置:Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:1.2 kV

集电极—射极饱和电压:1.7 V

在25 C的连续集电极电流:75 A

栅极—射极漏泄电流:500 nA

Pd-功率耗散:347 W

封装 / 箱体:ISOTOP-4

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

封装:Tube

商标:Microchip / Microsemi

安装风格:SMD/SMT

栅极/发射极最大电压:20 V

产品类型:IGBT Modules

工厂包装数量:1

子类别:IGBTs