Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C：89A

Drain to Source Voltage (Vdss)：500V

FET Feature：Standard

FET Type：MOSFET N-Channel, Metal Oxide

Gate Charge (Qg) @ Vgs：200nC @ 10V

Input Capacitance (Ciss) @ Vds：10550pF @ 25V

Mounting Type：Through Hole

Package / Case：TO-264

Power - Max：893W

Rds On (Max) @ Id, Vgs：50 mOhm @ 44.5A, 10V

Supplier Device Package：264 MAX™ [L2]

Vgs(th) (Max) @ Id：5V @ 5mA

包装：3TO-264 MAX

通道模式：Enhancement

最大漏源电压：500 V

最大连续漏极电流：89 A

RDS -于：50@10V mOhm

最大门源电压：±30 V

典型导通延迟时间：24 ns

典型上升时间：22 ns

典型关闭延迟时间：56 ns

典型下降时间：8 ns

工作温度：-55 to 150 °C

安装：Through Hole

标准包装：Rail / Tube

最大门源电压：±30

欧盟RoHS指令：Compliant

最高工作温度：150

最低工作温度：-55

渠道类型：N

最大漏源电阻：50@10V

最大漏源电压：500

每个芯片的元件数：1

供应商封装形式：TO-264 MAX

最大功率耗散：893000

最大连续漏极电流：89

引脚数：3

连续漏极电流：89 A

栅源电压（最大值）：�30 V

漏源导通电阻：0.05 ohm

工作温度范围：-55C to 150C

极性：N

类型：Power MOSFET

元件数：1

工作温度分类：Military

漏源导通电压：500 V

弧度硬化：No