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APT50GN60BG /IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Single
APT50GN60BG的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Microchip

产品种类:IGBT 晶体管

RoHS:

技术:Si

封装 / 箱体:TO-247-3

安装风格:Through Hole

配置:Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V

集电极—射极饱和电压:1.5 V

栅极/发射极最大电压:30 V

在25 C的连续集电极电流:107 A

Pd-功率耗散:366 W

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

封装:Tube

集电极最大连续电流 Ic:107 A

高度:5.31 mm

长度:21.46 mm

工作温度范围:- 55 C to + 175 C

宽度:16.26 mm

商标:Microchip / Microsemi

集电极连续电流:107 A

栅极—射极漏泄电流:600 nA

产品类型:IGBT Transistors

工厂包装数量:1

子类别:IGBTs

单位重量:38 g

供应商APT50GN60BG
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佰思特(深圳)供应链管理有限公司APT50GN60BG深圳市宝安区新桥街道上星社区中心路110号天悦大厦6010755-23570121
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上海三崧电子有限公司APT50GN60BG上海市嘉定区曹安路4671号协通科技大厦7层13818988389
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Arrow(艾睿)
APT50GN60BGMICRO-SEMI1+:¥50.03
10+:¥44.7
50+:¥40.23
100+:¥36.66
250+:¥33.08
500+:¥29.68
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10+:¥31.31
100+:¥28.49
250+:¥25.84
500+:¥25.84
1000+:¥24.67
2500+:¥23.7301
5000+:¥23.35
10000+:¥23.851+:¥27.85
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Avnet Express
APT50GN60BGMicrosemi CorporationINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - FIELDSTOP LOW FREQ - SIN - Rail/Tube417 : $3.6833
499 : $3.3282
999 : $3.285
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Digi-Key 得捷电子
APT50GN60BGMicrosemi CorporationIGBT 600V 107A 366W TO247500 : $4.06368
250 : $4.5288
100 : $5.0184
50 : $5.508
10 : $6.12
1 : $6.85
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Digi-Key 得捷电子
APT50GN60BGAmerican Microsemiconductor, Inc.IGBT - 单路 - 分立半导体产品1+:¥50.03
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100+:¥36.66
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Digi-Key 得捷电子
APT50GN60BGMicrochip TechnologyIGBT 600V 107A 366W TO247$3.34100
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Future Electronics
APT50GN60BGMicrosemi CorporationAPT50GN60 Series 600 V 107 A 325 nC NPT Trench and Field Stop IGBT - TO-247-3
RoHS : Compliant
50 : $4.0777
150 : $3.6555
250 : $3.5777
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Mouser 贸泽电子
APT50GN60BGMicrosemiIGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Single1:¥51.5619
10:¥41.4145
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100:¥37.8098
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Mouser 贸泽电子
APT50GN60BGMICRO-SEMI1+:¥50.03
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10000+:¥23.85
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NexGen Digital
APT50GN60BGMicrosemi CorporationInsulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Single TO-247 [B]
RoHS : Compliant
$2.76