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APT50GT120B2RDLG /Microsemi Power Products Group/分立半导体产品
APT50GT120B2RDLG的规格信息
APT50GT120B2RDLG的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

数据列表:APT50GT120B2RDL(G)

标准包装:30

类别:分立半导体产品

家庭:IGBT - 单路

系列:Thunderbolt IGBT®

包装:管件

IGBT 类型:NPT

电压 - 集射极击穿(最大值):1200V

电流 - 集电极(Ic)(最大值):106A

脉冲电流 - 集电极 (Icm):150A

不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):3.7V @ 15V,50A

功率 - 最大值:694W

开关能量:3585µJ(开),1910µJ(关)

输入类型:标准

栅极电荷:240nC

25°C 时 Td(开/关)值:23ns/215ns

测试条件:800V,50A,4.7 欧姆,15V

反向恢复时间(trr):-

封装/外壳:TO-247-3 变式

安装类型:通孔

供应商器件封装:*

供应商APT50GT120B2RDLG
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APT50GT120B2RDLGMicrosemi CorporationIGBT 1200V 106A 694W TO-247$18.81000
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