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APT50GT120B2RDLG /Microsemi Power Products Group/分立半导体产品
APT50GT120B2RDLG的规格信息
APT50GT120B2RDLG的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

数据列表：APT50GT120B2RDL(G)

标准包装：30

类别：分立半导体产品

家庭：IGBT - 单路

系列：Thunderbolt IGBT®

包装：管件

IGBT 类型：NPT

电压 - 集射极击穿（最大值）：1200V

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：106A

脉冲电流 - 集电极 (Icm)：150A

不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）：3.7V @ 15V，50A

功率 - 最大值：694W

开关能量：3585µJ（开），1910µJ（关）

输入类型：标准

栅极电荷：240nC

25°C 时 Td（开/关）值：23ns/215ns

测试条件：800V，50A，4.7 欧姆，15V

反向恢复时间（trr）：-

封装/外壳：TO-247-3 变式

安装类型：通孔

供应商器件封装：*

供应商APT50GT120B2RDLG
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Arrow(艾睿)		APT50GT120B2RDLGMICRO-SEMI1+:￥139.86
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