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APT50GS60BRG /IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - NPT High Frequency - Single
APT50GS60BRG的规格信息
APT50GS60BRG的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Microchip

产品种类:IGBT 晶体管

RoHS:

技术:Si

封装 / 箱体:TO-247-3

安装风格:Through Hole

配置:Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V

集电极—射极饱和电压:2.8 V

栅极/发射极最大电压:30 V

在25 C的连续集电极电流:93 A

Pd-功率耗散:415 W

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

封装:Tube

集电极最大连续电流 Ic:93 A

高度:5.31 mm

长度:21.46 mm

工作温度范围:- 55 C to + 150 C

宽度:16.26 mm

商标:Microchip / Microsemi

集电极连续电流:93 A

栅极—射极漏泄电流:100 nA

产品类型:IGBT Transistors

工厂包装数量:1

子类别:IGBTs

商标名:Thunderbolt HS

单位重量:38 g

供应商APT50GS60BRG
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APT50GS60BRGMICRO-SEMI60+:¥52.381+:¥49.69
10+:¥44.72
25+:¥40.75
100+:¥36.9399
250+:¥36.9399
500+:¥36.9399
1000+:¥33.9201
2500+:¥33.51
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APT50GS60BRGMicrosemi CorporationINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - NPT HIGH FREQUENCY - SIN - Rail/Tube292 : $5.1486
499 : $4.7301
999 : $4.6419
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APT50GS60BRGMicrosemi CorporationTrans IGBT Chip N-CH 600V 93A 3-Pin(3+Tab) TO-247
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1 : $5.87
100 : $4.69
500 : $4.21
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APT50GS60BRGMicrosemi CorporationIGBT 600V 93A 415W TO24760 : $7.17217
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2500+:¥33.51
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APT50GS60BRGMicrosemi CorporationInsulated Gate Bipolar Transistor - NPT High Frequency - Single TO-247 [B]
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APT50GS60BRGMicrosemi CorporationPOWER IGBT TRANSISTOR73 : $5.14
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250 : $4.82
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APT50GS60BRGMicrosemi CorporationTrans IGBT Chip N-CH 600V 93A 3-Pin(3+Tab) TO-247$4.7647