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APT31N60BCSG /
APT31N60BCSG的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):600V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):31A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 1.2mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):85nC

电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs:10V

Vgs(最大值):±30V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):3055pF

电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds:25V

功率耗散(最大值):255W(Tc)

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):100 毫欧 @ 18A,10V

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:通孔

供应商器件封装:TO-247-3

封装/外壳:TO-247-3

无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs

供应商APT31N60BCSG
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APT31N60BCSGSuper Junction MOSFET ADPOW[Advanced Power Technology]ADPOW[Advanced Power Technology]的LOGO394.99 Kbytes共5页APT31N60BCSG的PDF下载地址APT31N80JC3,APTC60DDAM35T3,APTC80TDU15P,APTC60DDAM70T3,APT40N60JCU2,APTC60DSKM35T3,APT40N60JCU3,APTC60DSKM70T3,APT47N60BC3,APTC60HM35T3
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APT31N60BCSGAmerican Microsemiconductor, Inc.FET - 单 CoolMOS?? 分立半导体产品价格未公开