Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C：54A

Drain to Source Voltage (Vdss)：300V

FET Feature：Standard

FET Type：MOSFET N-Channel, Metal Oxide

Gate Charge (Qg) @ Vgs：64nC @ 10V

Input Capacitance (Ciss) @ Vds：3720pF @ 25V

Mounting Type：Surface Mount

Package / Case：TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Power - Max：403W

Rds On (Max) @ Id, Vgs：61 mOhm @ 27A, 10V

Supplier Device Package：D3 [S]

Vgs(th) (Max) @ Id：5V @ 1mA

包装：3D3PAK

通道模式：Enhancement

最大漏源电压：300 V

最大连续漏极电流：54 A

RDS -于：61@10V mOhm

最大门源电压：±30 V

典型导通延迟时间：12 ns

典型上升时间：20 ns

典型关闭延迟时间：36 ns

典型下降时间：13 ns

工作温度：-55 to 150 °C

安装：Surface Mount

标准包装：Rail / Tube

最大门源电压：±30

欧盟RoHS指令：Compliant

最高工作温度：150

标准包装名称：TO-268-AA

最低工作温度：-55

渠道类型：N

最大漏源电阻：61@10V

最大漏源电压：300

每个芯片的元件数：1

供应商封装形式：D3PAK

最大功率耗散：403000

最大连续漏极电流：54

引脚数：3

连续漏极电流：54 A

栅源电压（最大值）：�30 V

工作温度范围：-55C to 150C

极性：N

类型：Power MOSFET

元件数：1

工作温度分类：Military

漏源导通电压：300 V

弧度硬化：No

功率耗散：403 W

包装类型：D3PAK