Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C：84A

Drain to Source Voltage (Vdss)：300V

FET Feature：Standard

FET Type：MOSFET N-Channel, Metal Oxide

Gate Charge (Qg) @ Vgs：115nC @ 10V

Input Capacitance (Ciss) @ Vds：6480pF @ 25V

Mounting Type：Through Hole

Package / Case：TO-247-3 Variant

Power - Max：568W

Rds On (Max) @ Id, Vgs：36 mOhm @ 42A, 10V

Supplier Device Package：T-MAX™ [B2]

Vgs(th) (Max) @ Id：5V @ 2.5mA

包装：3T-MAX

通道模式：Enhancement

最大漏源电压：300 V

最大连续漏极电流：84 A

RDS -于：36@10V mOhm

最大门源电压：±30 V

典型导通延迟时间：15 ns

典型上升时间：31 ns

典型关闭延迟时间：29 ns

典型下降时间：4 ns

工作温度：-55 to 150 °C

安装：Through Hole

标准包装：Rail / Tube

最大门源电压：±30

欧盟RoHS指令：Compliant

最高工作温度：150

包装宽度：5.31(Max)

最低工作温度：-55

包装高度：21.46(Max)

最大功率耗散：568000

渠道类型：N

最大漏源电阻：36@10V

最大漏源电压：300

每个芯片的元件数：1

标签：Tab

供应商封装形式：T-MAX

包装长度：16.26(Max)

PCB：3

最大连续漏极电流：84

引脚数：3

铅形状：Through Hole