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APT31M100L /MOSFET Power MOSFET - MOS8
APT31M100L的规格信息
APT31M100L的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Microchip

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-264-3

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:1 kV

Id-连续漏极电流:32 A

Rds On-漏源导通电阻:380 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:4 V

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

Qg-栅极电荷:260 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:1.04 kW

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Tube

商标:Microchip / Microsemi

正向跨导 - 最小值:34 S

下降时间:33 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:35 ns

工厂包装数量:1

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:130 ns

典型接通延迟时间:39 ns

单位重量:10 g

供应商APT31M100L
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柒号芯城电子商务(深圳)有限公司APT31M100L深圳市福田区华强北路1019号华强广场D座23楼0755-83663056
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深圳市芯幂科技有限公司APT31M100L深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司APT31M100L深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
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集好芯城APT31M100L深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
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深圳市安富世纪电子有限公司APT31M100L深圳市福田区中航路都会轩24060755-82573210
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芯莱德电子(香港)有限公司APT31M100L深圳市福田区航都大厦10L13352985419
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深圳市宇浩扬科技有限公司APT31M100L深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
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深圳市赛美科科技有限公司APT31M100L广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A5950755-28309323
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苏州芯华胜半导体科技有限公司APT31M100L江苏省苏州市虎丘区高新浒关工业园汇融广场20楼4006515758
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深圳市毅创腾电子科技有限公司APT31M100L深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
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深圳市拓亿芯电子有限公司APT31M100L深圳市福田区振兴西路华康大厦2栋6030755-82777855,0755-82702619
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APT31M100LN-Channel MOSFET MICROSEMI[Microsemi Corporation]MICROSEMI[Microsemi Corporation]的LOGO115.19 Kbytes共4页APT31M100L的PDF下载地址
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APT31M100LMICRO-SEMI1+:¥138.84
25+:¥116.73
100+:¥107.26
250+:¥97.81
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Digi-Key 得捷电子
APT31M100LAmerican Microsemiconductor, Inc.FET - 单 POWER MOS 8?? 分立半导体产品1+:¥138.84
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Digi-Key 得捷电子
APT31M100LMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 1000V 32A TO264$13.95000
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Mouser 贸泽电子
APT31M100LMicrosemiMOSFET Power MOSFET - MOS81:¥143.2275
10:¥130.1647
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