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APT30N60BC6 /APT30N60 Series 600 Vds 30 A 219 W 0.125 Ohm Super Junction Mosfet - TO-247-3
APT30N60BC6的规格信息
APT30N60BC6的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

系列:CoolMOS™

FET类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

电流-连续漏极(Id)(25°C时):30A(Tc)

驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V

不同Id时的Vgs(th)(最大值):3.5V @ 960µA

不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):88nC @ 10V

不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):2267pF @ 25V

Vgs(最大值):±20V

功率耗散(最大值):219W(Tc)

不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):125 毫欧 @ 14.5A,10V

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:通孔

封装/外壳:TO-247-3

封装形式Package:TO-247

极性Polarity:N-CH

漏源极击穿电压VDSS:600V

连续漏极电流ID:30A

无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs

供应商APT30N60BC6
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佰思特(深圳)供应链管理有限公司APT30N60BC6深圳市宝安区新桥街道上星社区中心路110号天悦大厦6010755-23570121
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