Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C：100A

Drain to Source Voltage (Vdss)：300V

FET Feature：Standard

FET Type：MOSFET N-Channel, Metal Oxide

Gate Charge (Qg) @ Vgs：140nC @ 10V

Input Capacitance (Ciss) @ Vds：7030pF @ 25V

Mounting Type：Through Hole

Package / Case：TO-264

Power - Max：694W

Rds On (Max) @ Id, Vgs：30 mOhm @ 50A, 10V

Supplier Device Package：TO-264 [L]

Vgs(th) (Max) @ Id：5V @ 2.5mA

包装：3TO-264

通道模式：Enhancement

最大漏源电压：300 V

最大连续漏极电流：100 A

RDS -于：30@10V mOhm

最大门源电压：±30 V

典型导通延迟时间：15 ns

典型上升时间：22 ns

典型关闭延迟时间：35 ns

典型下降时间：8 ns

工作温度：-55 to 150 °C

安装：Through Hole

标准包装：Rail / Tube