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APT30GS60BRDQ2G /Microsemi Power Products Group/分立半导体产品
APT30GS60BRDQ2G的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

数据列表:APT30GS60xRDQ2(G)

标准包装:30

类别:分立半导体产品

家庭:IGBT - 单路

系列:Thunderbolt IGBT®

包装:管件

IGBT 类型:NPT

电压 - 集射极击穿(最大值):600V

电流 - 集电极(Ic)(最大值):54A

脉冲电流 - 集电极 (Icm):113A

不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):3.15V @ 15V,30A

功率 - 最大值:250W

开关能量:570µJ(关)

输入类型:标准

栅极电荷:145nC

25°C 时 Td(开/关)值:16ns/360ns

测试条件:400V,30A,9.1 欧姆,15V

反向恢复时间(trr):25ns

封装/外壳:TO-247-3

安装类型:通孔

供应商器件封装:TO-247 [B]

供应商APT30GS60BRDQ2G
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APT30GS60BRDQ2GMICRO-SEMI1+:¥46.8
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25+:¥38.35
100+:¥34.79
250+:¥34.79
500+:¥34.79
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APT30GS60BRDQ2GMicrosemi CorporationINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - NPT LOW FREQUENCY - COMB - Rail/Tube310 : $4.8695
499 : $4.4591
999 : $4.3809
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Digi-Key 得捷电子
APT30GS60BRDQ2GMicrosemi CorporationIGBT 600V 54A 250W SOT227500 : $5.10664
250 : $5.60084
100 : $6.095
50 : $6.754
10 : $7.413
1 : $8.24
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Digi-Key 得捷电子
APT30GS60BRDQ2GMicrochip TechnologyIGBT 600V 54A 250W SOT227$5.74938
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APT30GS60BRDQ2GMicrosemiIGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - NPT Low Frequency - Combi1:¥62.0144
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APT30GS60BRDQ2GMicrosemi CorporationInsulated Gate Bipolar Transistor - NPT Low Frequency - Combi TO-247 [B]
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