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APT30M19JVFR /MOSFET Power FREDFET - MOS5
APT30M19JVFR的规格信息
APT30M19JVFR的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Microchip

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Chassis Mount

封装 / 箱体:SOT-227-4

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:300 V

Id-连续漏极电流:130 A

Rds On-漏源导通电阻:19 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2 V

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

Qg-栅极电荷:975 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:700 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Tube

晶体管类型:1 N-Channel

商标:Microchip / Microsemi

下降时间:10 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:33 ns

工厂包装数量:1

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:70 ns

典型接通延迟时间:22 ns

单位重量:30 g

供应商APT30M19JVFR
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佰思特(深圳)供应链管理有限公司APT30M19JVFR深圳市宝安区新桥街道上星社区中心路110号天悦大厦6010755-23570121
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APT30M19JVFRPower MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs ADPOW[Advanced Power Technology]ADPOW[Advanced Power Technology]的LOGO76.45 Kbytes共4页APT30M19JVFR的PDF下载地址APT20M20JLL,APT5016BLL,APT12080JVR,APT10M25SVR,APT1001RBLC,APT5018BFLL,APT5027BVR,APT5010B2LC,APT50M65B2FLL,APT60M60JLL
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APT30M19JVFRMICRO-SEMI10+:¥461.641+:¥450.39
2+:¥443.69
5+:¥440.29
10+:¥430.43
25+:¥430.43
100+:¥430.43
250+:¥430.43
500+:¥413.871+:¥450.43
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APT30M19JVFRMicrosemi CorporationPOWER FREDFET - MOS5 - Rail/Tube499 : $52.2938
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APT30M19JVFRAmerican Microsemiconductor, Inc.FET - 模块 POWER MOS V® 分立半导体产品10+:¥461.64
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APT30M19JVFRMicrosemi CorporationMOSFET N-CH 300V 130A SOT-22710 : $63.208
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25+:¥430.43
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250+:¥430.43
500+:¥413.87
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Mouser 贸泽电子
APT30M19JVFRMicrosemiMOSFET Power FREDFET - MOS51:¥522.286
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APT30M19JVFRMicrosemi CorporationPower FREDFET - MOS5 ISOTOP
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APT30M19JVFRMicrosemi CorporationPOWER FREDFET TRANSISTOR250 : $56.19