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APT30GP60JDQ1 /IGBT 模块 Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Combi
APT30GP60JDQ1的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Microchip

产品种类:IGBT 模块

RoHS:

产品:IGBT Silicon Modules

配置:Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V

集电极—射极饱和电压:2.2 V

在25 C的连续集电极电流:67 A

栅极—射极漏泄电流:100 nA

Pd-功率耗散:245 W

封装 / 箱体:ISOTOP-4

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

封装:Tube

商标:Microchip / Microsemi

安装风格:SMD/SMT

栅极/发射极最大电压:20 V

产品类型:IGBT Modules

工厂包装数量:1

子类别:IGBTs

供应商APT30GP60JDQ1
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深圳市安富世纪电子有限公司APT30GP60JDQ1深圳市福田区中航路都会轩24060755-82573210
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深圳市坤融电子有限公司APT30GP60JDQ1航都大厦10I0755-23990975
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深圳市芯泽盛世科技有限公司APT30GP60JDQ1龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
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APT30GP60JDQ1POWER MOS 7 IGBT ADPOW[Advanced Power Technology]ADPOW[Advanced Power Technology]的LOGO456.49 Kbytes共9页APT30GP60JDQ1的PDF下载地址APT30GP60B,APT45GP120B,APT75GP120B2,APT30GP60BDQ1,APT45GP120B2DQ2,APT75GP120J,TLP250,APT35GP120B,APT45GP120J,APT75GP120JDQ3
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APT30GP60JDQ1MICRO-SEMI1+:¥203.541+:¥158.36
5+:¥151.2401
10+:¥147.0899
25+:¥147.0899
50+:¥147.0899
100+:¥147.0899
250+:¥147.0899
500+:¥140.4099
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APT30GP60JDQ1Microsemi CorporationINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - PT POWER MOS 7 - COMBI - Rail/Tube999 : $17.8673
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Digi-Key 得捷电子
APT30GP60JDQ1American Microsemiconductor, Inc.IGBT - 模块 POWER MOS 7® 分立半导体产品1+:¥203.54
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Digi-Key 得捷电子
APT30GP60JDQ1Microsemi CorporationIGBT MODULE 600V 67A 245W ISOTOP$25.77350
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APT30GP60JDQ1Microsemi CorporationIGBT 600V 67A 245W SOT2271 : $27.87
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APT30GP60JDQ1MICRO-SEMI1+:¥203.541+:¥158.36
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500+:¥140.4099
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APT30GP60JDQ1MicrosemiIGBT 模块 Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Combi19:¥194.1792
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APT30GP60JDQ1Microsemi CorporationInsulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Combi ISOTOP
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