FET 类型：2 N 沟道（双）共漏

FET 功能：逻辑电平门

漏源电压（Vdss）：20V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：22 毫欧 @ 4A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1.1V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：13nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：1100pF @ 10V

功率 - 最大值：2.5W

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SMD，扁平引线

供应商器件封装：8-DFN（3x3）

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs