包装标准卷带

系列-

零件状态停產

FET 类型N 和 P 沟道

FET 功能标准

漏源电压（Vdss）30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）8.1A (Ta), 7.1A (Ta)

不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）20 毫欧 @ 8.1A, 10V, 25 毫欧 @ 7.1A, 10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）3V @ 250µA, 2.7V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）19.2nC @ 10V, 30.9nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）1250pF @ 15V, 1573pF @ 15V

功率 - 最大值2W

工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型表面贴装型

封装/外壳8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装8-SOIC