包装标准卷带
系列-
零件状态停產
FET 类型N 和 P 沟道
FET 功能标准
漏源电压（Vdss）40V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）6A (Ta), 5A (Ta)
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）30 毫欧 @ 6A, 10V, 45 毫欧 @ 5A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）10.8nC @ 10V, 22nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）650pF @ 20V, 1175pF @ 20V
功率 - 最大值2W
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型表面贴装型
封装/外壳8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装8-SOIC