FET 类型：N 和 P 沟道

FET 功能：逻辑电平门

漏源电压（Vdss）：40V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：6A，5A

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：30 毫欧 @ 6A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：10.8nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：650pF @ 20V

功率 - 最大值：2W

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装：8-SO

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs