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AO4614B /Alpha & Omega Semiconductor Inc/分立半导体产品
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:3,000

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 阵列

系列:-

包装:带卷(TR)

FET 类型:N 和 P 沟道

FET 功能:逻辑电平门

漏源极电压(Vdss):40V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):6A,5A

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):30 毫欧 @ 6A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):10.8nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):650pF @ 20V

功率 - 最大值:2W

安装类型:表面贴装

封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

供应商器件封装:8-SOIC

其它名称:785-1294-2

供应商AO4614B
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AO4614B40V Dual P N-Channel MOSFET AOSMD[Alpha & Omega Semiconductors]AOSMD[Alpha & Omega Semiconductors]的LOGO238.9 Kbytes共7页AO4614B的PDF下载地址
AO4614BComplementary Trench MOSFET KEXIN[Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd]KEXIN[Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd]的LOGO1629.47 Kbytes共7页AO4614B的PDF下载地址
AO4614B_101MOSFET N/P-CH 40V 6A/5A 8SOICAlpha & Omega Semiconductor Inc.Alpha & Omega Semiconductor Inc.的LOGO233.34 Kbytes共7页AO4614B_101的PDF下载地址
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AO4614BLComplementary Enhancement Mode Field Effect Transistor AOSMD[Alpha & Omega Semiconductors]AOSMD[Alpha & Omega Semiconductors]的LOGO222.39 Kbytes共7页AO4614BL的PDF下载地址AO4620,AO4622,AO4619,AOD608,AO4617,BSS8402DW_1,AON4604,AOD609,FDS9435A,CEM2082
AO4614BL_103MOSFET N/P-CH 40V 6A/5A 8SOICAlpha & Omega Semiconductor Inc.Alpha & Omega Semiconductor Inc.的LOGO233.34 Kbytes共7页AO4614BL_103的PDF下载地址
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AO4614BAlpha & Omega Semiconductor Inc.MOSFET N/P-CH 40V 6A/5A 8SOIC$0.66000
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AO4614BAlpha & Omega Semiconductor Inc.1+:¥4.02
25+:¥2.98
100+:¥2.55
250+:¥2.21
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1000+:¥1.45
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AO4614BAOS连续漏极电流(Id)(25°C 时):6A,5A 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:30mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2W 类型:N沟道和P沟道1+:¥1.4314
10+:¥1.0813
30+:¥1.017
100+:¥0.9527
500+:¥0.9241
1000+:¥0.9099
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AO4614BLAOS连续漏极电流(Id)(25°C 时):6A,5A 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:30mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2W 类型:N沟道和P沟道1+:¥1.5123
10+:¥1.1455
30+:¥1.0781
100+:¥1.0107
500+:¥0.9808
1000+:¥0.966