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AO4612 /Alpha & Omega Semiconductor Inc/分立半导体产品
AO4612的规格信息
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标准包装:3,000

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 阵列

系列:-

包装:带卷(TR)

FET 类型:N 和 P 沟道

FET 功能:逻辑电平门

漏源极电压(Vdss):60V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):4.5A,3.2A

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):56 毫欧 @ 4.5A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):10.5nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):540pF @ 30V

功率 - 最大值:2W

安装类型:表面贴装

封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

供应商器件封装:8-SOIC

其它名称:785-1041-2

供应商AO4612
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AO461260V Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor AOSMD[Alpha & Omega Semiconductors]AOSMD[Alpha & Omega Semiconductors]的LOGO482.01 Kbytes共9页AO4612的PDF下载地址
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AO4612-MS类型:N+P沟道,N路:漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):5A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):60mΩ@10V, 80mΩ@4.5V, 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.2V至2.5V VDS=VGS,ID=250μA,P路: 漏源电压(Vdss):-60V 连续漏极电流(Id)MSKSEMI(美森科)MSKSEMI(美森科)的LOGO6.18 Mbytes共10页AO4612-MS的PDF下载地址
AO4612的全球分销商及价格
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AO4612ALPHA&OMEGAFET - 阵列 - 分立半导体产品3000+:¥1.9901
6000+:¥1.85
15000+:¥1.78
30000+:¥1.72
75000+:¥1.6899
150000+:¥1.65011+:¥2.56
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AO4612Alpha & Omega Semiconductor Inc.MOSFET N/P-CH 60V 8-SOIC$0.93000
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AO4612AOS连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.5A,3.2A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:56mΩ @ 4.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2W 类型:N沟道和P沟道1+:¥2.6
10+:¥1.95
30+:¥1.83
100+:¥1.71
500+:¥1.66
1000+:¥1.63