系列：AlphaSGT™

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：100V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：13.5A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：60nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：3130pF @ 50V

功率耗散（最大值）：3.1W（Ta）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：8.3 毫欧 @ 13.5A, 10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：8-SOIC

封装/外壳：8-SOIC

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs