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2SK3290 /连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.3A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2V @ 250uA 漏源导通电阻:30mΩ @ 3.2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.1W 类型:N沟道
2SK3290的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)30V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)5.3A

栅源极阈值电压2V @ 250uA

漏源导通电阻30mΩ @ 3.2A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)1.1W

类型N沟道

供应商2SK3290
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现代芯城(深圳)科技有限公司2SK3290www.nowchip.com0755-27381274
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2SK3290Silicon N Channel MOS FET High Speed Switching HITACHI[Hitachi Semiconductor]HITACHI[Hitachi Semiconductor]的LOGO39.5 Kbytes共8页2SK3290的PDF下载地址2SJ471,2SJ533,2SJ552,2SK2729,2SK2940,2SK3134,2SK3157,2SK3289,HAT1016R,HAT2020R
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