FET 类型N 沟道

技术MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）500V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）50A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）3.4V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）280nC @ 10V

Vgs（最大值）±30V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）11000pF @ 10V

功率耗散（最大值）250W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）95 毫欧 @ 25A，10V

工作温度150°C（TJ）

安装类型通孔

供应商器件封装TO-3P（L）

封装/外壳TO-3PL

无铅情况/RoHs无铅/符合RoHs