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2SK3176(F) /MOSFET MOSFET N-Ch 200V 30A Rdson 0.052 Ohm
2SK3176(F)的规格信息
2SK3176(F)的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Toshiba

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-3PN-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:200 V

Id-连续漏极电流:30 A

Rds On-漏源导通电阻:52 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:150 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

高度:20 mm

长度:15.5 mm

系列:2SK3176

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:4.5 mm

商标:Toshiba

下降时间:25 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:15 ns

工厂包装数量:50

子类别:MOSFETs

单位重量:7 g

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2SK3176(F)Toshiba America Electronic Components, Inc.FET - 单 - 分立半导体产品50+:¥31.16200+:¥22.53
400+:¥20.3701
600+:¥20.3701
1000+:¥19.45
2600+:¥18.7101
5000+:¥18.4
10000+:¥18.810+:¥83.48
30+:¥79.15
50+:¥71.24
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100+:¥31.79
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2SK3176(F)Toshiba America Electronic Components, Inc.FET - 单 - 分立半导体产品50+:¥31.16200+:¥22.53
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600+:¥20.3701
1000+:¥19.45
2600+:¥18.7101
5000+:¥18.4
10000+:¥18.810+:¥83.48
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2SK3176(F)Toshiba America Electronic Components, Inc.FET - 单 - 分立半导体产品50+:¥31.16200+:¥22.53
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600+:¥20.3701
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2SK3176(F)Toshiba America Electronic Components, Inc.FET - 单 - 分立半导体产品50+:¥31.16200+:¥22.53
400+:¥20.3701
600+:¥20.3701
1000+:¥19.45
2600+:¥18.7101
5000+:¥18.4
10000+:¥18.810+:¥83.48
30+:¥79.15
50+:¥71.24
100+:¥66.7810+:¥40.67
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