包装：3TO-220FM

通道模式：Enhancement

最大漏源电压：100 V

最大连续漏极电流：20 A

RDS -于：60@10V mOhm

最大门源电压：±20 V

典型导通延迟时间：15 ns

典型上升时间：20 ns

典型关闭延迟时间：200 ns

典型下降时间：150 ns

工作温度：-55 to 150 °C

安装：Through Hole

删除：Compliant

连续漏极电流：20 A

栅源电压（最大值）：�20 V

功率耗散：30 W

工作温度范围：-55C to 150C

包装类型：TO-220FM

封装：Box

引脚数：3 +Tab

极性：N

类型：Power MOSFET

元件数：1

工作温度分类：Military

漏源导通电压：100 V

弧度硬化：No