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2SK3148 /连续漏极电流(Id)(25°C 时):50A(Tc) 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:34mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.7W 类型:N沟道
2SK3148的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)100V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)50A(Tc)

栅源极阈值电压2.5V @ 250uA

漏源导通电阻34mΩ @ 30A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)3.7W

类型N沟道

供应商2SK3148
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2SK3148VBsemi(台湾微碧)连续漏极电流(Id)(25°C 时):50A(Tc) 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:34mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.7W 类型:N沟道1+:¥2.53
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