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2SK3163-E / Trans MOSFET N-CH 60V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
2SK3163-E的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

包装:3TO-3P

通道模式:Enhancement

最大漏源电压:60 V

最大连续漏极电流:75 A

RDS -于:7.5@10V mOhm

最大门源电压:±20 V

典型导通延迟时间:60 ns

典型上升时间:300 ns

典型关闭延迟时间:520 ns

典型下降时间:330 ns

工作温度:-55 to 150 °C

安装:Through Hole

标准包装:Bulk

供应商2SK3163-E
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2SK3163-ESilicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching RENESAS[Renesas Technology Corp]RENESAS[Renesas Technology Corp]的LOGO88.62 Kbytes共8页2SK3163-E的PDF下载地址RJK6014DPP,RJK6014DPK,HAT2092R,2SK2957,2SK2912,2SK3141,2SK3161,2SK2736,2SK2796,2SK2925
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2SK3163-ERenesas Electronics CorporationTrans MOSFET N-CH 60V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
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