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2SK3079ATE12LQ /射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch Radio Freq 3A 20W 10V VDSS
2SK3079ATE12LQ的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Toshiba

产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

RoHS:

晶体管极性:N-Channel

技术:Si

Id-连续漏极电流:3 A

Vds-漏源极击穿电压:10 V

增益:13.5 dB

输出功率:2.2 W

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PW-X-4

封装:Reel

配置:Single

工作频率:470 MHz

系列:2SK3079

类型:RF Power MOSFET

商标:Toshiba

Pd-功率耗散:20 W

产品类型:RF MOSFET Transistors

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

Vgs - 栅极-源极电压:3 V

Vgs th-栅源极阈值电压:0.8 V

供应商2SK3079ATE12LQ
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2SK3079ATE12LQToshiba America Electronic Components, Inc.RF FET - 分立半导体产品1+:¥19.43
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