2SK3074(TE12L,F)
/Toshiba 2SK 系列 Si N沟道 MOSFET 2SK3074(TE12L,F), 1 A, Vds=30 V, 3引脚 PW Mini封装
2SK3074(TE12L,F)的规格信息
通道类型N
最大连续漏极电流1 A
最大漏源电压30 V
最大栅阈值电压2.4V
最大栅源电压+25 V
封装类型PW Mini
安装类型表面贴装
引脚数目3
晶体管配置单
通道模式增强
类别射频 MOSFET
最大功率耗散3 W
每片芯片元件数目1
尺寸4.6 x 2.5 x 1.6mm
最高工作温度+150 °C
系列2SK
晶体管材料Si
典型功率增益14.9 dB
高度1.6mm
长度4.6mm
宽度2.5mm
无铅情况/RoHs无铅/符合RoHs
2SK3074(TE12L,F)
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| 型号 | 功能描述 | 生产厂商 | 厂商LOGO | PDF大小 | PDF页数 | 下载地址 | 相关型号 |
| 2SK3074(TE12L,F) | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：1A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：- 漏源导通电阻：- 最大功率耗散（Ta=25°C）：3W 类型：N沟道 | TOSHIBA(东芝) |  | 165.76 Kbytes | 共4页 |  | 无 |
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| 销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
立创商城 | 2SK3074(TE12L,F) | TOSHIBA(东芝) | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：1A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：- 漏源导通电阻：- 最大功率耗散（Ta=25°C）：3W 类型：N沟道 | 1+:￥3.366
10+:￥3.27
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