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2SK3074TE12LF /射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch Radio Freq 1A 3W 30V VDSS
2SK3074TE12LF的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Toshiba

产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

RoHS:

晶体管极性:N-Channel

技术:Si

Id-连续漏极电流:1 A

Vds-漏源极击穿电压:30 V

增益:14.9 dB

输出功率:630 mW

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PW-Mini-3

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

配置:Single

工作频率:530 MHz

系列:2SK3074

类型:RF Power MOSFET

商标:Toshiba

Pd-功率耗散:3 W

产品类型:RF MOSFET Transistors

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

Vgs - 栅极-源极电压:25 V

Vgs th-栅源极阈值电压:1.9 V

单位重量:50 mg

供应商2SK3074TE12LF
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Digi-Key 得捷电子
2SK3074TE12LFToshiba America Electronic Components, Inc.RF FET - 分立半导体产品1000+:¥9.94
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2SK3074TE12LFToshiba射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch Radio Freq 1A 3W 30V VDSS1:¥22.4418
10:¥18.0574
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2SK3074TE12LFToshiba America Electronic Components, Inc.RF FET - 分立半导体产品1000+:¥9.941+:¥16.8999
10+:¥13.67
100+:¥10.93
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3000+:¥9.28
6000+:¥9.19
9000+:¥8.81
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