FET 类型N 沟道

技术MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）100mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）2.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）1.5V @ 100µA

Vgs（最大值）±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）13pF @ 5V

功率耗散（最大值）200mW（Ta）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）8 欧姆 @ 10mA，4V

工作温度-55°C ~ 150°C

安装类型表面贴装

供应商器件封装SOT-323

封装/外壳SC-70，SOT-323

无铅情况/RoHs无铅/符合RoHs