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2SK3018W /连续漏极电流(Id)(25°C 时):100mA 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:1.5V @ 100uA 漏源导通电阻:8Ω @ 10mA,4V 最大功率耗散(Ta=25°C):200mW(Tc) 类型:N沟道
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)30V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)100mA

栅源极阈值电压1.5V @ 100uA

漏源导通电阻8Ω @ 10mA,4V

最大功率耗散(Ta=25°C)200mW(Tc)

类型N沟道

供应商2SK3018W
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2SK3018WBLUE ROCKET(蓝箭)连续漏极电流(Id)(25°C 时):100mA 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:1.5V @ 100uA 漏源导通电阻:8Ω @ 10mA,4V 最大功率耗散(Ta=25°C):200mW(Tc) 类型:N沟道20+:¥0.112993
200+:¥0.085504
600+:¥0.080455
2000+:¥0.075406
10000+:¥0.073162
20000+:¥0.072054
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2SK3018WSHIKUES(时科)连续漏极电流(Id)(25°C 时):100mA 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:1.5V @ 100uA 漏源导通电阻:8Ω @ 10mA,4V 最大功率耗散(Ta=25°C):200mW 类型:N沟道20+:¥0.129087
200+:¥0.096005
600+:¥0.089929
2000+:¥0.083853
10000+:¥0.081152
20000+:¥0.079818