典型关断延迟时间120 ns

典型接通延迟时间35 ns

典型栅极电荷@Vgs45 nC V @ 10

典型输入电容值@Vds2100 pF V @ 10

安装类型通孔

宽度4.5mm

封装类型TO-220

尺寸10 x 4.5 x 9mm

引脚数目3

最低工作温度-55 °C

最大功率耗散2000 mW

最大栅源电压-10 V, 20 V

最大漏源电压60 V

最大漏源电阻值0.017

最大连续漏极电流45 A

最高工作温度+150 °C

每片芯片元件数目1

类别功率 MOSFET

通道模式增强

通道类型N

配置单

长度10mm

高度9mm