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2SK3018T106 /MOSFET N-CH 30V .1A SOT-323
2SK3018T106的规格信息
2SK3018T106的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ROHM Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-23-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:100 mA

Rds On-漏源导通电阻:8 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:800 mV

Vgs - 栅极-源极电压:4 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:200 mW (1/5 W)

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:0.8 mm

长度:2 mm

产品:MOSFET Small Signal

系列:2SK3018

晶体管类型:1 N-Channel

类型:MOSFET

宽度:1.25 mm

商标:ROHM Semiconductor

正向跨导 - 最小值:20 ms

下降时间:80 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:35 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:80 ns

典型接通延迟时间:15 ns

零件号别名:2SK3018

单位重量:8 mg

供应商2SK3018T106
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现代芯城(深圳)科技有限公司2SK3018T106www.nowchip.com0755-27381274
18098996457
董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市芯幂科技有限公司2SK3018T106深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市琛凡科技有限公司2SK3018T106深圳市福田区华强电子世界一店2号楼四层24C15613922854643,13302437441马小姐Email:1045082228@qq.com询价
深圳市坤融电子有限公司2SK3018T106航都大厦10I0755-23990975
13926529829,17318082080
肖瑶,树平Email:hzk@krchips.com询价
芯莱德电子(香港)有限公司2SK3018T106深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419,19076157484
杨先生Email:2881915365@qq.com询价
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13352985419
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深圳市河锋鑫科技有限公司2SK3018T106华强北现代之窗A 9D0755-23903154
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杨晓芳Email:305739080@qq.com询价
深圳市安富世纪电子有限公司2SK3018T106深圳市福田区中航路都会轩24060755-82573210
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Email:seven@7-ic.com询价
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深圳市芯泽盛世科技有限公司2SK3018T106龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
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深圳市宇浩扬科技有限公司2SK3018T106深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
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Am2
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Arrow(艾睿)
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元器件资料网-Avnet Express的LOGO
Avnet Express
2SK3018T106ROHM SemiconductorSMALL SINGAL MOS FET3,000 : $0.0459
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Digi-Key 得捷电子
2SK3018T106ROHM SemiconductorMOSFET N-CH 30V .1A SOT-32310 : $0.31
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Digi-Key 得捷电子
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Digi-Key 得捷电子
2SK3018T106Rohm SemiconductorMOSFET N-CH 30V 100MA UMT3$0.40000
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element14 Asia-Pacific
2SK3018T106ROHM SemiconductorTRANSISTOR SWITCHING MOSFET
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element14 e络盟电子
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Future Electronics
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Future(富昌)
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Mouser 贸泽电子
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Mouser 贸泽电子
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立创商城
2SK3018T106ROHM(罗姆)连续漏极电流(Id)(25°C 时):100mA 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:1.5V @ 100uA 漏源导通电阻:8Ω @ 10mA,4V 最大功率耗散(Ta=25°C):200mW 类型:N沟道10+:¥0.254617
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10000+:¥0.167319