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2SK3018 /连续漏极电流(Id)(25°C 时):100mA 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:1.5V @ 100uA 漏源导通电阻:8Ω @ 10mA,4V 最大功率耗散(Ta=25°C):200mW 类型:N沟道
2SK3018的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)30V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)100mA

栅源极阈值电压1.5V @ 100uA

漏源导通电阻8Ω @ 10mA,4V

最大功率耗散(Ta=25°C)200mW

类型N沟道

供应商2SK3018
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现代芯城(深圳)科技有限公司2SK3018www.nowchip.com0755-27381274
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董先生Email:arthur@nowchip.com询价
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深圳市琛凡科技有限公司2SK3018T106深圳市福田区华强电子世界一店2号楼四层24C15613922854643,13302437441马小姐Email:1045082228@qq.com询价
深圳市成源运利电子科技有限公司2SK3018深圳市福田区华强路东方时代广场A2705159-13992480
15913992480
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芯莱德电子(香港)有限公司2SK3018深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419,19076157484
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深圳市高捷芯城科技有限公司2SK3018FPDT106深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419
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深圳市河锋鑫科技有限公司2SK3018T106华强北现代之窗A 9D0755-23903154
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深圳市安富世纪电子有限公司2SK3018深圳市福田区中航路都会轩24060755-82573210
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18922805453,18929374037,18922803401
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深圳市斌腾达科技有限公司2SK3018FPDT106深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
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赵小姐Email:zhujunbin163@163.com询价
深圳亿恒升电子有限公司2SK3018KL都会100A座24A0755-29992989,0755-23945396
18938644687,15013565437
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深圳市大源实业科技有限公司2SK3018T106深圳市龙岗区坂田街道山海商业广场C座7070755-84862070
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李小姐Email:dysykj005@foxmail.com询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司2SK3018深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
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朱小姐Email:szyctdz@163.com询价
深圳市浩睿泽电子科技有限公司2SK3018FPDT106深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
19854773352
罗先生Email:250652363@qq.com询价
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深圳市水星电子有限公司2SK3018-TP地址1:深圳市龙岗区平湖街道华利嘉电子市场B1C177/地址2:深圳市福田区华强北街道赛格广场6402B0755-89585609
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深圳市芯泽盛世科技有限公司2SK3018FPDT106龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
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深圳市宇浩扬科技有限公司2SK3018深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
13826514222
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2SK30182.5V Drive Nch MOS FET ROHM[Rohm]ROHM[Rohm]的LOGO89.89 Kbytes共4页2SK3018的PDF下载地址RJK005N03,RJP020N06,RTQ035N03,RJU002N06,RDX030N60,2SK2094_1,2SK2503_1,2SK2504_1,2SK2715_1,RSF010P03
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2SK3018SOT-323 Plastic-Encapsulate MO SFETS TYSEMI[TY Semiconductor Co., Ltd]TYSEMI[TY Semiconductor Co., Ltd]的LOGO2979.13 Kbytes共2页2SK3018的PDF下载地址
2SK3018N-channel MOSFET JIANGSU[Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd]JIANGSU[Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd]的LOGO1368.34 Kbytes共5页2SK3018的PDF下载地址
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2SK3018-3N-Channel MOSFET KEXIN[Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd]KEXIN[Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd]的LOGO1129.75 Kbytes共3页2SK3018-3的PDF下载地址
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2SK3018的全球分销商及价格
销售商型号制造商功能描述价格
元器件资料网-Am2的LOGO
Am2
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Arrow(艾睿)
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Avnet Express
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Digi-Key 得捷电子
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元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子
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Digi-Key 得捷电子
2SK3018T106Rohm SemiconductorMOSFET N-CH 30V 100MA UMT3$0.40000
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子
2SK3018-TPMicro Commercial CoMOSFET N-CH 30V 100MA SOT323$0.36000
元器件资料网-element14 Asia-Pacific的LOGO
element14 Asia-Pacific
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元器件资料网-element14 e络盟电子的LOGO
element14 e络盟电子
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Future Electronics
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RoHS : Compliant
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Future(富昌)
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元器件资料网-MCM Electronics的LOGO
MCM Electronics
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Mouser 贸泽电子
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Mouser 贸泽电子
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Mouser 贸泽电子
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2SK3018Hottech(合科泰)连续漏极电流(Id)(25°C 时):100mA 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:1.5V @ 100uA 漏源导通电阻:8Ω @ 10mA,4V 最大功率耗散(Ta=25°C):350mW 类型:N沟道50+:¥0.086335
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2SK3018CJ(江苏长电/长晶)连续漏极电流(Id)(25°C 时):100mA 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:1.5V @ 100uA 漏源导通电阻:8Ω @ 10mA,4V 最大功率耗散(Ta=25°C):350mW 类型:N沟道20+:¥0.137749
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2SK3018BLUE ROCKET(蓝箭)连续漏极电流(Id)(25°C 时):100mA 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:1.5V @ 100uA 漏源导通电阻:8Ω @ 10mA,4V 最大功率耗散(Ta=25°C):250mW 类型:N沟道20+:¥0.102543
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2SK3018KEXIN(科信)连续漏极电流(Id)(25°C 时):100mA 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:1.5V @ 100uA 漏源导通电阻:8Ω @ 10mA,4V 最大功率耗散(Ta=25°C):200mW 类型:N沟道20+:¥0.128346
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2SK3018SHIKUES(时科)连续漏极电流(Id)(25°C 时):100mA 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:1.5V @ 100uA 漏源导通电阻:8Ω @ 10mA,4V 最大功率耗散(Ta=25°C):200mW 类型:N沟道20+:¥0.095315
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2000+:¥0.060564
10000+:¥0.058489
20000+:¥0.057464
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2SK3018HT(金誉)MOS(场效应管)50+:¥0.076731
500+:¥0.056489
1500+:¥0.052771
5000+:¥0.049054
25000+:¥0.047401
50000+:¥0.046585
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2SK3018CJ(江苏长电/长晶)连续漏极电流(Id)(25°C 时):100mA 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:1.5V @ 100uA 漏源导通电阻:8Ω @ 10mA,4V 最大功率耗散(Ta=25°C):200mW 类型:N沟道20+:¥0.141982
200+:¥0.105996
600+:¥0.099387
2000+:¥0.092777
10000+:¥0.08984
20000+:¥0.088388
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2SK3018TWGMC(台湾迪嘉)MOS(场效应管)50+:¥0.079851
500+:¥0.058859
1500+:¥0.055004
5000+:¥0.051148
25000+:¥0.049434
50000+:¥0.048588
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2SK3018FPDT106ROHM(罗姆)预售新品10+:¥0.294466
100+:¥0.218117
300+:¥0.204093
1000+:¥0.19007
5000+:¥0.183837
10000+:¥0.180758
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2SK3018T106ROHM(罗姆)连续漏极电流(Id)(25°C 时):100mA 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:1.5V @ 100uA 漏源导通电阻:8Ω @ 10mA,4V 最大功率耗散(Ta=25°C):200mW 类型:N沟道10+:¥0.254617
100+:¥0.196001
300+:¥0.185234
1000+:¥0.174468
5000+:¥0.169683
10000+:¥0.167319
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2SK3018-TPMCC(美微科)MOS(场效应管)10+:¥0.26
100+:¥0.2
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2SK3018WBLUE ROCKET(蓝箭)连续漏极电流(Id)(25°C 时):100mA 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:1.5V @ 100uA 漏源导通电阻:8Ω @ 10mA,4V 最大功率耗散(Ta=25°C):200mW(Tc) 类型:N沟道20+:¥0.112993
200+:¥0.085504
600+:¥0.080455
2000+:¥0.075406
10000+:¥0.073162
20000+:¥0.072054
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2SK3018WSHIKUES(时科)连续漏极电流(Id)(25°C 时):100mA 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:1.5V @ 100uA 漏源导通电阻:8Ω @ 10mA,4V 最大功率耗散(Ta=25°C):200mW 类型:N沟道20+:¥0.129087
200+:¥0.096005
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10000+:¥0.081152
20000+:¥0.079818